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NTHC5513T1G |
8-SMD，扁平引线 | ON Semiconductor | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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NTHC5513T1G参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.9A，2.2A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：4nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds：180pF @ 10V 功率 - 最大：1.1W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： PMIC - 稳压MC78L05ABDG 电源输入 - 输入GSP1.9101.1 芯片电阻 - 表面1-1879504-3 芯片电阻 - 表面RG1608V-4750-P-T1 Card EdgeGSC50DRYN-S93 功率，高于 2 安JC1AF-DC12V-F RF 其它 IC HMC934LP5E 功率，高于 2 安PRDA-11AYB-24 TVS - 二极管LC01-6.TDT 保险丝GSAP5-R |
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